要求（专利）号：CN200610114105.5要求日：2006.10.27
揭露（布告）号：CN101170147揭露（布告）日：2008.04.30
主分类号：H01L31/109(2006.01)I领域分类：
分类号：H01L31/109(2006.01)I；H01L31/18(2006.01)I
要求（专利权）人：中国科学院物理研究所
地址：100080北京市海淀区中关村南三街8号
国省代码：北京；11
创造（规划）人：孙志辉；周岳亮；宁廷银；曹玲柱；张洪艳；陆珩；刘知韵
专利署理组织：北京泛华伟业知识产权署理有限公司
署理人：高存秀
★ 摘要
   本创造供给了一种从深紫外至远红外光的探测器及制备办法，该探测器包含：一基底、榜首电极、第二电极和电极引线；其特征在于，所述的基底为n型SiC片，还包含在SiC的基底上成长一层p型的La1-xSrxMnO3光呼应资料层，其间光呼应资料层厚度为0.8nm-2μm；所述的La1-xSrxMnO3光呼应资料层，其间x为0.01-0.5；榜首电极设置在La1-xSrxMnO3氧化物薄膜的光呼应资料层上，第二电极设置在SiC的基底上，榜首电极引线和第二电极引线别离连接在榜首电极和第二电极上。该制备办法包含选用惯例的制膜设备和技术，首要制出La1-xSrxMnO3/SiC异质结资料，然后再制造光探测器。当光照耀探测器后直接发生电压信号，不需要任何辅佐的电源和电子电路。其呼应波段从紫外到远红外，光生电压信号可达数百mV。
★ 主权项
    一种从深紫外至远红外光的探测器，包含：一基底、榜首电极、第二电极和电极引线；其特征在于，所述的基底为n型SiC片，还包含再在SiC的基底上成长一层p型的La1-xSrxMnO3氧化物薄膜的光呼应资料层，薄膜厚度为0.8nm-2μm；所述的La1-xSrxMnO3光呼应资料层，其间x为0.01-0.5；榜首电极设置在La1-xSrxMnO3氧化物薄膜的光呼应资料层上，第二电极设置在SiC的基底上，榜首电极引线和第二电极引线连接在电极上。